Die globale Marktgröße für epitaktische Wafer für Verbindungshalbleiter wird bis 2030 voraussichtlich 7,8 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem Marktwachstum von 13,2 % CAGR im Prognosezeitraum entspricht

Eine hohe Elektronenmobilität ist eine gemeinsame Eigenschaft von Quantenepitaxie-Wafern, die eine schnellere Elektronenbewegung und eine verbesserte Geräteleistung ermöglicht. Bei elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten ist dies von entscheidender Bedeutung.

New York, 30. August 2023 (GLOBE NEWSWIRE) – Reportlinker.com gibt die Veröffentlichung des Berichts „Global Epitaxial Wafer for Compound Semiconductor Market Size, Share & Industry Trends Analysis Report By Application, End User, Regional Outlook“ bekannt Prognose, 2023 – 2030“ – https://www.reportlinker.com/p06487839/?utm_source=GNW Daher verzeichnete das CS Quantum-Segment im Jahr 2022 einen Umsatz von 195,9 Millionen US-Dollar. Quanteneinschlusseffekte werden durch die genaue Kontrolle der Dicke von ermöglicht Material auf nanoskaliger Ebene, das durch den epitaktischen Wachstumsprozess bereitgestellt wird. Die Konstruktion von Quantenpunkten und -töpfen mit unterschiedlichen Energieniveaus und diskreten elektronischen Zuständen nutzt diese Merkmale. Einige der Faktoren, die sich auf den Markt auswirken, sind die steigende Nachfrage nach LED-Beleuchtung, der zunehmende Einsatz von Verbindungshalbleitern in intelligenten Technologien und hohe Anfangsinvestitionen. Die zunehmende Beliebtheit energieeffizienter LED-Beleuchtung treibt die Epitaxie-Wafer-Industrie voran. Die Vorteile der Epitaxie-Wafer-Technologie, einschließlich niedriger Herstellungskosten und verbesserter Geräteempfindlichkeit, fördern die Marktexpansion. Die Entwicklung von LED-Beleuchtungssystemen in wichtigen Industrie- und Entwicklungsländern wird durch das wachsende Bewusstsein der Verbraucher für umweltfreundliche Technologie und einen wachsenden Fokus auf die Senkung des weltweiten Stromverbrauchs vorangetrieben. Die auf dem Siliziumwafer wachsende Epitaxieschicht dient dazu, die elektrischen Eigenschaften des Wafers zu verbessern und die Leistungsdichte der LED-Beleuchtung zu erhöhen. Darüber hinaus wird erwartet, dass die intelligenten Technologien der nächsten Generation aus einer breiten Palette modernster Materialien wie Kohlenstoffnanoröhren, Supraleitern und Verbindungshalbleitern wie GaN aufgebaut werden. Ein Smart Grid und andere intelligente Infrastrukturen können ohne die Entwicklung neuer Leistungselektronik, Kabelisolatoren, Kabeltypen, Kabeldielektrika und Energiespeichertechnologien nicht funktionieren. Daher treiben der zunehmende Einsatz von LED-Leuchten und das Aufkommen intelligenter Technologien das Wachstum des Marktes voran. Allerdings sind die Kosten für den Kauf oder den Bau einer Strom- oder Nicht-Strom-Infrastruktur, die voraussichtlich über die Stromeinnahmen zurückgezahlt werden, ein „Anfangskapital“. Investition." Dazu gehören alle Ausgaben im Zusammenhang mit der Strategieentwicklung, dem Entwurf, dem Kauf von Grundstücken und dem Bau sowie alle während des Baus getätigten Investitionen. Daher benötigt der Wafer-Herstellungsprozess qualifizierte Fachkräfte und Fachpersonal. Der hohe Preis von epitaktischen Halbleiterwafern (CS) aufgrund ihrer teuren Herstellungsverfahren und Rohstoffe hat nur begrenzte Auswirkungen auf das Marktwachstum. Anwendungsaussichten Basierend auf der Anwendung wird der Markt in CS-Leistungselektronik und CS-HF/Mikrowelle unterteilt , CS-Sensorik, CS-Photonik und CS-Quanten. Das CS-Photonik-Segment sorgte im Jahr 2022 für ein beachtliches Marktwachstum. Eine Vielzahl von Photonen, darunter solche mit infraroten, sichtbaren und ultravioletten Wellenlängen, können von Verbindungshalbleitern emittiert und absorbiert werden. Aufgrund dieser Eigenschaft sind sie für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen anpassbar, von der optischen Kommunikation bis hin zur Bildgebung und Sensorik. Photonische integrierte Schaltkreise (PICs) mit komplizierten und hochfunktionalen Architekturen können durch die Integration von Verbindungshalbleiter-Photonik mit traditioneller Halbleiterelektronik hergestellt werden. Endbenutzerausblick Auf der Grundlage des Endbenutzers wird der Markt in digitale Wirtschaft, Industrie, Energie und Energie, Verteidigung/ Sicherheit, Transport, Unterhaltungselektronik, Gesundheitswesen und Raumfahrt. Das Gesundheitssegment verzeichnete im Jahr 2022 ein vielversprechendes Marktwachstum. Zahlreiche derzeit stattfindende Verbesserungen bei medizinischen Geräten dürften die Nachfrage nach hochmodernen Verbindungshalbleitern ankurbeln. Aufgrund dieser Fortschritte sind Fortschritte in der Halbleitertechnologie erforderlich. Es wird prognostiziert, dass es aufgrund einer Reihe von Variablen zu einem Anstieg der Nachfrage nach Epitaxiewafern für Verbindungshalbleiter in der Medizinindustrie kommen wird. Regionaler Ausblick Regional betrachtet wird der Markt in Nordamerika, Europa, im asiatisch-pazifischen Raum und in LAMEA analysiert. Das Segment Asien-Pazifik erzielte im Jahr 2022 den höchsten Umsatzanteil am Markt. Das Wachstum des Marktes hängt mit einer Reihe von Variablen zusammen, darunter der zunehmenden Verbreitung von IoT, selbstfahrenden Fahrzeugen und der Verbreitung von Smartphones. Da die Smartphone-Nachfrage gestiegen ist und sich die Smartphone-Technologie weiterentwickelt hat, sind kleinere und dickere integrierte Schaltkreise (ICs) entstanden. Diese Halbleiter werden in einer Vielzahl elektronischer Geräte verwendet, darunter Unterhaltungselektronik, Telekommunikationsgeräte, Computer und andere Dinge. Infolgedessen wird dieser Faktor zu einem Anstieg der Nachfrage nach Epitaxiewafern in der Region führen. Der Marktforschungsbericht umfasst die Analyse der wichtigsten Marktteilnehmer. Zu den wichtigsten im Bericht vorgestellten Unternehmen gehören II-VI Incorporated, WOLFSPEED, INC., Ennostar, Inc., GlobalWafers Co., Ltd. (Sino-American Silicon Products Inc.), SVT Associates, Inc., International Quantum Epitaxy, Plc. , Masimo Semiconductor, Inc., Nichia Corporation, Siltronic AG und Sumitomo Electric Industries, Ltd. Eingesetzte Strategien im Epitaxie-Wafer-Markt für Verbindungshalbleiter. Mai 2023: GlobalWafers Co., Ltd. unterzeichnete eine Vereinbarung zur Übernahme von Crystalwise Technology Inc., einem Hersteller von Oxidverbindungssubstrat in Taiwan von Sino-American Silicon Products Inc. Die Übernahme zielt darauf ab, das Produktportfolio von GlobalWafers zu erweitern. Juni 2021: GlobalWafers Co., Ltd. unterzeichnete eine Vereinbarung mit GLOBALFOUNDRIES, einem Unternehmen, das sich mit der Herstellung funktionsreicher Halbleiter beschäftigt . Die Vereinbarung umfasst die Herstellung von 300-mm-SOI-Wafern (Silicon-on-Insulator) und erweitert die aktuelle 200-mm-SOI-Waferproduktion in der MEMC-Anlage von GWC in O'Fallon, Missouri. März 2021: II-VI Incorporated unterzeichnete eine Vereinbarung mit Coherent, Inc., ein Anbieter von laserbasierten Systemlösungen und laserbasierten Technologien. Gemeinsam hätten die Unternehmen die Möglichkeit, ihre Wettbewerbsfähigkeit zu stärken, indem sie die gemeinsame Größe entlang der Wertschöpfungskette nutzen, das Wachstum durch komplementäre Technologieplattformen beschleunigen, Zugang zu tieferen Marktinformationen und Fachwissen erhalten und ihre Geschäfte nach Endmarkt und Geografie weiter diversifizieren. August 2020 : II-VI Incorporated gab eine Vereinbarung zur Übernahme von Ascatron AB bekannt, einem Anbieter von epitaktischen Wafern und Geräten aus Siliziumkarbid (SiC). Durch diese Übernahme wird die Produktionskapazität von II-VI Incorporated mithilfe der Technologieplattformen von Ascatron AB weltweit erweitert. September 2019: II-VI Incorporated geht eine Partnerschaft mit LITE-ON Technology Corporation ein, einem Unternehmen, das sich mit der Bereitstellung optoelektronischer Komponenten beschäftigt. für die Herstellung und Vermarktung von verpackten Halbleiterlasern in großen Mengen für LiDAR für den Massenmarkt. Die erste wurde Mitte 2020 veröffentlicht. Ziel der Unternehmen war es, ihre jeweiligen Massenfertigungsplattformen für Halbleiterlaser und optoelektronische Verpackungen zu nutzen, um im Laufe der Zeit gemeinsam eine breite Palette von Laserlösungen zu kommerzialisieren, die vom nahen Infrarot (NIR) bis zum kurzwelligen Infrarot reichen (SWIR).August 2019: Cree (Wolfspeed) unterzeichnete eine Vereinbarung mit ON Semiconductor, wonach das ehemalige Unternehmen beabsichtigte, seine Wolfspeed®-Siliziumkarbid-Wafer herzustellen und an ON Semiconductor zu liefern. Ein Vertrag über mehr als 85 Millionen US-Dollar sieht vor, dass Cree ON Semiconductor fortschrittliche 150-mm-Nackt- und Epitaxiewafer aus Siliziumkarbid (SiC) für den Einsatz in wachstumsstarken Branchen wie Elektrofahrzeugen und Industrieanwendungen anbietet. Januar 2019: Cree, Inc. unterzeichnete eine Vereinbarung mit STMicroelectronics, der Verkäufer intelligenter und energieeffizienter Halbleiterprodukte und -lösungen, bei dem STMicroelectronics die Wolfspeed®-Siliziumkarbid (SiC)-Wafer von Cree, Inc. erhält. Diese Vereinbarung wird auch die Präsenz von Cree, Inc. auf dem geografischen Markt erhöhen . 2019 – Januar: Cree hat mit STMicroelectronics, einem Halbleiterunternehmen, eine Vereinbarung über die Herstellung und Lieferung seiner Wolfspeed®-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) an STMicroelectronics getroffen. In dieser Zeit enormen Wachstums und einer enormen Nachfrage nach Siliziumkarbid-Leistungsgeräten regelt die Vereinbarung die Lieferung von Crees modernen 150-mm-Siliziumkarbid-Nackt- und Epitaxiewafern im Wert von einer Viertelmilliarde Dollar an STMicroelectronics. Umfang der Studie: Im Bericht behandelte Marktsegmente: Von Anwendung• CS-Leistungselektronik• CS-HF/Mikrowelle• CS-Sensorik• CS-Quanten• CS-PhotonikNach Endbenutzer• Industrie, Energie und Energie• Verteidigung/Sicherheit• Digitale Wirtschaft• Transport• Gesundheitswesen• Unterhaltungselektronik• RaumfahrtNach Geografie• Nordamerikao USA Kanadao Mexikoo Übriges Nordamerika• Europao Deutschlando Vereinigtes Königreicho Frankreicho Russlando Spanieno Italieno Übriges Europa• Asien-Pazifik Chinao Japano Indieno Südkoreao Singapuro Malaysiao Übriger asiatisch-pazifischer Raum• LAMEAo Brasilieno Argentinieno Vereinigte Arabische Emirateo Saudi-Arabieno Südafrikao Nigeriao Übriges LAMEAUnternehmensprofil• II-VI Incorporated• WOLFSPEED , INC.• Ennostar, Inc.• GlobalWafers Co., Ltd. (Sino-American Silicon Products Inc.)• SVT Associates, Inc.• International Quantum Epitaxy, Plc.• Masimo Semiconductor, Inc.• Nichia Corporation• Siltronic AG• Sumitomo Electric Industries, Ltd. 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